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用MOCVD在CaF2衬底上生长的ZnSe/ZnS多量子阱材料,在77K下用N2激光泵浦染料获得的宽带光脉冲进行了非线性光学测量,首次观察到ZnSe......

用固源分子束外延技术(SSMBE)在GaAs(111)衬底上，采用不同的界面中断时间生长了多组AlGaAs/GaAs多量子阱样品(MQWs)，通过室温发光光......

导出了两种材料构成的多量子阱光波导的模式截止方程，并讨论了Ｓｉ衬底上生长的应变ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ多量子阱光波导的模式截止特性。......

报道了在国内首次研制成功的ＧａＡｓ／Ａ１ＧａＡｓ材料系的多量子阱结构的谐振腔增强型（ＲＣＥ）光探测器，实验测得器件的响应具有明显的波长选择特性，其峰值响应波......